注文背景

製品

集積回路 IRFR3504ZTRPBF お問い合わせ ベストプライス IC チップ IRFR3504ZTRPBF

簡単な説明:


製品の詳細

製品タグ

製品の属性

タイプ 説明
カテゴリー ディスクリート半導体製品

トランジスタ – FET、MOSFET – 単一

製造元 インフィニオン テクノロジーズ
シリーズ HEXFET®
パッケージ テープ&リール(TR)

カットテープ(CT)

デジリール®

製品の状態 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
テクノロジー MOSFET (金属酸化物)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 40V
電流 – 連続ドレイン (Id) @ 25°C 42A(Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 9ミリオーム @ 42A、10V
Vgs(th) (最大) @ ID 4V @ 250μA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 45nC @ 10V
Vgs (最大) ±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 1510 pF @ 25 V
FETの特徴 -
消費電力(最大) 90W(Tc)
動作温度 -55℃~175℃(TJ)
取付タイプ 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ Dパック
パッケージ・ケース TO-252-3、DPak (2 リード + タブ)、SC-63
基本製品番号 IRFR3504

文書とメディア

リソースの種類 リンク
データシート IRF(R,U)3504ZPbF
その他の関連文書 IR部品番号付けシステム
製品トレーニング モジュール ディスクリート パワー MOSFET 40V 以下

高電圧集積回路 (HVIC ゲート ドライバー)

設計リソース IRFR3504Z セイバーモデル
注目の製品 データ処理システム
HTML データシート IRF(R,U)3504ZPbF

環境および輸出の分類

属性 説明
RoHS ステータス ROHS3準拠
感湿性レベル (MSL) 1 (無制限)
リーチステータス REACHは影響を受けない
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

追加リソース

属性 説明
他の名前 IRFR3504ZPBFDKR

IRFR3504ZTRPBF-ND

SP001556956

IRFR3504ZPBFCT

*IRFR3504ZTRPBF

IRFR3504ZPBFTR

IRFR3504ZTRPBFTR-ND

標準パッケージ 2,000

トランジスタは、増幅器や電子制御スイッチに一般的に使用される半導体デバイスです。トランジスタは、コンピュータ、携帯電話、その他すべての現代の電子回路の動作を制御する基本的な構成要素です。

トランジスタは、応答速度が速く、精度が高いため、増幅、スイッチング、電圧レギュレータ、信号変調、発振器など、さまざまなデジタルおよびアナログ機能に使用できます。トランジスタは個別にパッケージ化することも、集積回路の一部として 1 億個以上のトランジスタを収容できる非常に小さな領域にパッケージ化することもできます。

電子管と比較して、トランジスタには多くの利点があります。

1.コンポーネントの消耗がありません

どんなに優れた真空管であっても、陰極原子の変化や慢性的な空気漏れにより徐々に劣化していきます。技術的な理由により、トランジスタが最初に作られたときも同じ問題がありました。材料の進歩と多くの面での改良により、トランジスタは通常、電子管よりも 100 ~ 1,000 倍長く寿命を迎えます。

2.消費電力が非常に少ない

電子管の1本に比べれば10分の1か数十程度です。電子管のように自由電子を生成するためにフィラメントを加熱する必要はありません。トランジスタラジオは、数個の乾電池だけで年間6か月間聴くことができますが、真空管ラジオではそれが困難です。

3.予熱不要

電源を入れるとすぐに動作します。たとえば、トランジスタラジオは電源を入れるとすぐに消え、トランジスタテレビは電源を入れるとすぐに画像をセットアップします。真空管機器ではそれができません。起動後、音が聞こえるまでしばらく待ちます。画像を確認してください。明らかに、軍事、測定、記録などにおいて、トランジスタは非常に有利です。

4.強くて信頼できる

電子管の100倍の信頼性、耐衝撃性、耐振動性は電子管とは比較にならないほどです。さらに、トランジスタのサイズは電子管のサイズのわずか10分の1から100分の1であり、熱の放出が非常に少ないため、小型で複雑で信頼性の高い回路の設計に使用できます。トランジスタの製造プロセスは精密であるにもかかわらず、プロセスが単純であるため、部品の実装密度の向上につながります。


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