新しいオリジナル集積回路 BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC チップ
BSZ040N06LS5
インフィニオンのOptiMOS™ 5パワーMOSFETのロジックレベルは、ワイヤレス充電、アダプタ、通信アプリケーションに非常に適しています。デバイスのゲート電荷 (Q g) が低いため、伝導損失を損なうことなくスイッチング損失が低減されます。改良された性能指数により、高いスイッチング周波数での動作が可能になります。さらに、ロジックレベルのドライブにより、低いゲートしきい値が提供されます。保持電圧 (V GS(th)) により、MOSFET を 5V でマイクロコントローラーから直接駆動できるようになります。
機能の概要
小型パッケージでの低 R DS(on)
低いゲート電荷
出力電荷の低下
ロジックレベルの互換性
利点
より高い電力密度設計
スイッチング周波数の向上
5V電源が利用できる場所であればどこでも部品点数を削減
マイクロコントローラーから直接駆動 (低速スイッチング)
システムコストの削減
パラメトリック
パラメトリック | BSZ040N06LS5 |
予算価格 €/1,000 | 0.56 |
シス | 2400pF |
コス | 500pF |
最大ID (@25°C) | 101A |
IDパルス最大値 | 404A |
取り付け | SMD |
動作温度最小最大 | -55℃ 150℃ |
ポイント最大値 | 69W |
パッケージ | PQFN 3.3×3.3 |
ピン数 | 8ピン |
極性 | N |
QG (標準 @4.5V) | 18nC |
Qgd | 5.3nC |
RDS (オン) (@4.5V LL) 最大 | 5.6mΩ |
RDS (オン) (@4.5V) 最大 | 5.6mΩ |
RDS (オン) (@10V) 最大 | 4mΩ |
Rth最大値 | 1.8K/W |
RthJA最大 | 62K/W |
RthJC最大値 | 1.8K/W |
VDS最大値 | 60V |
VGS(th) 最小最大 | 1.7V 1.1V 2.3V |
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