見積 BOM リスト IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N 集積回路
製品の属性
| タイプ | 説明 |
| カテゴリー | ディスクリート半導体製品 |
| 製造元 | インフィニオン テクノロジーズ |
| シリーズ | ラピッド2 |
| パッケージ | チューブ |
| 製品の状態 | アクティブ |
| ダイオード構成 | 1ペアの共通カソード |
| ダイオードの種類 | 標準 |
| 電圧 – DC 逆方向 (Vr) (最大) | 650V |
| 電流 – 平均整流 (Io) (ダイオードあたり) | 15A |
| 電圧 – 順方向 (Vf) (最大) @ If | 2.2V @ 15A |
| スピード | 高速回復 =< 500ns、> 200mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr) | 32ns |
| 電流 – 逆漏れ電流 @ Vr | 40μA@650V |
| 動作温度 – ジャンクション | -40℃～175℃ |
| 取付タイプ | スルーホール |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO247-3-1 |
| 基本製品番号 | IDW30C65 |
文書とメディア
| リソースの種類 | リンク |
| データシート | IDW30C65D2 |
| その他の関連文書 | 部品番号ガイド |
| HTML データシート | IDW30C65D2 |
環境および輸出の分類
| 属性 | 説明 |
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 感湿性レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| リーチステータス | REACHは影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
追加リソース
| 属性 | 説明 |
| 他の名前 | SP001174452 2156-IDW30C65D2XKSA1 IFEINFIDW30C65D2XKSA1 |
| 標準パッケージ | 240 |
ダイオードは、主に一方向に電流を流す (非対称コンダクタンス) 二重端子電子部品です。一方向では抵抗が低く (理想的にはゼロ)、もう一方の方向では抵抗が高くなります (理想的には無限大)。ダイオード真空管または熱電子ダイオードは、加熱されたカソードとプレートの 2 つの電極を備えた真空管で、電子はカソードからプレートへ一方向にのみ流れることができます。現在最も一般的に使用されているタイプの半導体ダイオードは、2 つの電気端子に接続された pn 接合を備えた結晶半導体材料です。
ダイオードの最も一般的な機能は、電流が一方向 (ダイオードの順方向と呼ばれます) に流れるのを許可し、逆方向 (逆方向) には電流を遮断することです。このように、ダイオードはリターンバルブの電子版とみなすことができます。この一方向の動作は整流と呼ばれ、交流 (AC) を直流 (DC) に変換するために使用されます。ダイオードの形をした整流器は、ラジオ受信機で無線信号から変調を抽出するなどのタスクに使用できます。
ただし、ダイオードの非線形電流電圧特性により、その動作はこの単純なスイッチング動作よりも複雑になる可能性があります。半導体ダイオードは、しきい値電圧または順方向の入力電圧がある場合にのみ電気を伝導します (ダイオードは順方向バイアス状態にあると言われます)。順方向バイアスのダイオードの両端での電圧降下は、電流によってわずかに変化し、温度の関数となります。この効果は、温度センサーまたは基準電圧として使用できます。また、ダイオードの両端の逆電圧がブレークダウン電圧と呼ばれる値に達すると、逆流に対するダイオードの高抵抗は急激に低抵抗に低下します。
半導体ダイオードの電流電圧特性は、半導体材料を選択し、製造プロセス中に材料にドーピング不純物を導入することによってカスタマイズできます。これらの技術は、さまざまな機能を実行する特殊なダイオードを作成するために使用されます。たとえば、ダイオードは、電圧の調整 (ツェナー ダイオード)、高電圧サージから回路の保護 (アバランシェ ダイオード)、ラジオおよびテレビ受信機の電子調整 (バレータ ダイオード)、RF 発振の生成 (トンネル ダイオード)、ガン ダイオード、IMPATT ダイオードなどに使用されます。 、光（発光ダイオード）を生成します。トンネル ダイオード、ガン ダイオード、および IMPATT ダイオードには負性抵抗があり、マイクロ波やスイッチング回路で役立ちます。
真空ダイオードと半導体ダイオードの両方を散乱ノイズ発生器として使用できます。
