電子 ic チップサポート BOM サービス TPS54560BDDAR 真新しい ic チップ電子部品

1.IC の命名、パッケージの一般知識、および命名規則:

温度範囲。

C=0°C ～ 60°C (商用グレード)。I=-20°C ～ 85°C (工業用グレード);E=-40°C ～ 85°C (拡張工業グレード);A=-40°C ～ 82°C (航空宇宙グレード);M=-55°C ～ 125°C (軍用グレード)

パッケージ型式。

A-SSOP;B-サーカード;C-TO-200、TQFP;D-セラミック銅トップ;E-QSOP;FセラミックSOP;H- SBGAJ-セラミック DIP;K-TO-3;L-LCC、M-MQFP;N-ナローディップ;N-ディップ;Q PLCC;R - ナローセラミック DIP (300mil);S - TO-52、T - TO5、TO-99、TO-100;U - TSSOP、uMAX、SOT;W - ワイド スモール フォーム ファクター (300 ミル) W - ワイド スモール フォーム ファクター (300 ミル)。X-SC-60（3P、5P、6P）;Y-ナロー銅トップ。Z-TO-92、MQUAD;だ、ダイ。/PR-強化プラスチック;/W-ウエハース。

ピンの数:

a-8;b-10;c-12、192;d-14;e-16;f-22、256;g-4;h-4;i -4;H-4;I-28;J-2;K-5、68;L-40;M-6、48;N18;O-42;P-20;Q-2、100;R-3、843;S-4、80;T-6、160;U-60 -6,160;U-60;V-8 (ラウンド);W-10（ラウンド）;X-36;Y-8(丸);Z-10（丸）。（ラウンド）。

注: インターフェイス クラスの 4 文字のサフィックスの最初の文字は E であり、デバイスが帯電防止機能を備えていることを意味します。

2.包装技術の開発

初期の集積回路にはセラミック フラット パッケージが使用されており、その信頼性と小型サイズのため、長年にわたって軍で使用され続けました。商用回路のパッケージングは​​すぐにセラミックから始まりプラスチックへのデュアル インライン パッケージに移行し、1980 年代には VLSI 回路のピン数が DIP パッケージの適用限界を超え、最終的にはピン グリッド アレイとチップ キャリアの出現につながりました。

表面実装パッケージは 1980 年代初頭に登場し、その 10 年代後半に普及しました。ピンピッチが細かくなり、ピン形状がガルウィングまたはJシェイプになっています。たとえば、Small-Outline Integrated Circuit (SOIC) は、同等の DIP に比べて面積が 30 ～ 50% 小さく、厚さが 70% 薄くなります。このパッケージには、長辺の 2 辺から突き出たガルウィング型のピンがあり、ピンピッチは 0.05 インチです。

Small-Outline Integrated Circuit (SOIC) および PLCC パッケージ。1990 年代には、PGA パッケージは依然としてハイエンド マイクロプロセッサによく使用されていました。PQFP と薄型スモールアウトライン パッケージ (TSOP) は、ピン数の多いデバイス用の通常のパッケージになりました。Intel と AMD のハイエンド マイクロプロセッサは、PGA (Pine Grid Array) パッケージから Land Grid Array (LGA) パッケージに移行しました。

ボール グリッド アレイ パッケージは 1970 年代に登場し始め、1990 年代には他のパッケージよりもピン数が多い FCBGA パッケージが開発されました。FCBGA パッケージでは、ダイは上下に反転され、ワイヤではなく PCB のようなベース層によってパッケージ上のはんだボールに接続されます。今日の市場では、パッケージングもプロセスの別の部分となっており、パッケージの技術も製品の品質と歩留まりに影響を与える可能性があります。