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ウエハーとチップの関係

チップは N 個以上の半導体デバイスで構成されています。半導体は通常、ダイオード、三極管、電界効果管、小型電力抵抗器、インダクタ、コンデンサなどです。

これは、円形井戸内の原子核の自由電子の濃度を変更する技術的手段を使用して、原子核の物理的特性を変更し、多くの（電子）または少数の（正孔）の正または負の電荷を生成して、さまざまな半導体を形成します。

シリコンとゲルマニウムは一般的に使用される半導体材料であり、それらの特性と材料は、これらの技術で使用するために簡単かつ安価に大量に入手できます。

シリコンウェーハは多数の半導体デバイスで構成されています。ウェハの機能は、言うまでもなく、必要に応じてウェハ内に存在する半導体から回路を形成することである。

ウェーハとチップの関係 - チップ内にウェーハが何枚あるか

これは、ダイのサイズ、ウェーハのサイズ、歩留まりによって異なります。

現在、業界でいわゆる 6 インチ、12 インチ、または 18 インチのウェーハはウェーハ直径としては短いですが、インチは概算です。実際のウェーハ直径は 150mm、300mm、450mm に分かれており、12 インチは 305mm に相当します。 , そのため便宜的に12インチウエハーと呼びます。

完成したウエハース

説明: ウェーハは写真に示されているウェーハであり、純粋なシリコン (Si) でできています。ウェハは、ダイとして知られるシリコンウェハの小片で、ペレットとしてパッケージ化されています。Nand フラッシュ ウェーハを含むウェーハ。ウェーハは最初に切断され、次にテストされ、無傷で安定した全容量のダイが取り外されてパッケージ化され、私たちが毎日目にする Nand フラッシュ チップが形成されます。

ウェーハ上に残っているものは、不安定で部分的に損傷しており、したがって容量が不足しているか、完全に損傷しています。元のメーカーは、品質保証を考慮して、このようなデッドデッドを宣言し、厳密にスクラップとして定義し、完全にスクラップ処分されます。

ダイとウェーハの関係

ダイが切断されると、元のウェーハは下の図に示されているものになります。これは残りのダウングレード フラッシュ ウェーハです。

スクリーンウェーハ

これらの残りのダイは標準以下のウェーハです。取り外された部分（黒い部分）は認定されたダイで、元のメーカーによってパッケージ化されて完成品の NAND ペレットに製造されますが、不認定の部分（写真に残っている部分）はスクラップとして処分されます。