STF13N80K5 トランス MOSFET N-CH 800V 12A 3 ピン (3+タブ) TO-220FP チューブ
製品の属性
| EU RoHS | 免除に準拠 |
| ECCN (米国) | EAR99 |
| 部品のステータス | アクティブ |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | はい |
| SVHCが閾値を超えた | はい |
| 自動車 | No |
| ペンパイナッポーアッポーペン | No |
| 製品カテゴリ | パワーMOSFET |
| 構成 | シングル |
| プロセステクノロジー | スーパーメッシュ |
| チャンネルモード | 強化 |
| チャンネルタイプ | N |
| チップあたりの素子数 | 1 |
| 最大ドレイン・ソース電圧 (V) | 800 |
| 最大ゲート・ソース電圧 (V) | ±30 |
| 最大ゲートしきい値電圧 (V) | 5 |
| 動作ジャンクション温度 (°C) | -55～150 |
| 最大連続ドレイン電流 (A) | 12 |
| 最大ゲート・ソース・リーク電流 (nA) | 10000 |
| 最大IDSS (uA) | 1 |
| 最大ドレイン・ソース抵抗 (ミリオーム) | 450@10V |
| 代表的なゲート電荷 @ Vgs (nC) | 27@10V |
| 標準的なゲート電荷 @ 10V (nC) | 27 |
| 標準入力容量 @ Vds (pF) | 870@100V |
| 最大消費電力 (mW) | 35000 |
| 標準的な立ち下がり時間 (ns) | 16 |
| 代表的な立ち上がり時間 (ns) | 16 |
| 標準的なターンオフ遅延時間 (ns) | 42 |
| 標準的なターンオン遅延時間 (ns) | 16 |
| 最低動作温度 (°C) | -55 |
| 最高動作温度 (°C) | 150 |
| サプライヤーの温度グレード | 産業用 |
| 包装 | チューブ |
| 最大正ゲート・ソース電圧 (V) | 30 |
| 最大ダイオード順電圧 (V) | 1.5 |
| 取り付け | スルーホール |
| パッケージの高さ | 16.4(最大) |
| パッケージ幅 | 4.6(最大) |
| パッケージの長さ | 10.4(最大) |
| 基板が変更されました | 3 |
| タブ | タブ |
| 標準パッケージ名 | TO |
| サプライヤーパッケージ | TO-220FP |
| ピン数 | 3 |
| リード形状 | スルーホール |
導入
電界効果管の原理は電界効果です。これは、シリコンなどの一部の半導体材料を指す電気現象であり、電界を印加した後、その電子の活動が大幅に向上し、その結果、導電率が変化します。プロパティ。したがって、エレクトリックの場合、c 場を半導体材料の表面に印加すると、電流を調整するという目的を達成するために、その導電特性を制御できます。
FETはN型FETとP型FETに分けられます。N 型 FET は、高い順方向導電性と低い逆方向導電性を備えた N 型半導体材料で作られています。P 型 FET は、高い逆導電率と低い順導電率を備えた P 型半導体材料で作られています。N型電界効果管とP型電界効果管からなる電界効果管は電流制御を実現します。
FETの主な特徴は、電流利得が高く、高周波、高感度回路に適しており、低ノイズ、低カットオフノイズという特性を持っています。また、低消費電力、低発熱、安定性、信頼性などの利点もあり、理想的な電流制御素子です。
FET は通常の三極管と同様に動作しますが、電流利得が高くなります。その動作回路は通常、ソース、ドレイン、制御の 3 つの部分に分かれています。ソースとドレインは電流の経路を形成し、制御極は電流の流れを制御します。電圧が制御極に印加されると、電流の流れを制御して、電流を調整するという目的を達成することができる。
実際のアプリケーションでは、FET はパワーアンプ、フィルタ回路、スイッチング回路などの高周波回路でよく使用されます。たとえば、パワーアンプでは、FET は入力電流を増幅して出力電力を増加させることができます。フィルター回路では、電界効果管が回路内のノイズを除去できます。スイッチング回路において、FETはスイッチング機能を実現します。
一般に、FET は重要な電子部品であり、電子回路で広く使用されています。高電流利得、低消費電力、安定性、信頼性の特性を持ち、理想的な電流制御素子です。
